Модуль памяти Samsung M321RAJA0MB2-CCPKF 128GB DDR5 RDIMM 6400 ECC REG
Модуль памяти Samsung M321RAJA0MB2-CCPKF объёмом 128 ГБ – решение для современных серверов, где важна производительность и надёжность. Модель M321RAJA0MB2-CCPKF работает на частоте 6400 МГц и относится к стандарту DDR5 с поддержкой ECC. Это значит, что ошибки при передаче данных исправляются автоматически, что критично для стабильной работы баз данных и виртуальных сред.
Применение и сценарии использования
Память Samsung M321RAJA0MB2-CCPKF предназначена для установки в серверы, которые обрабатывают большие объёмы информации. Благодаря объёму 128 ГБ и высокой частоте, она подходит для задач реального времени: аналитика, вычисления, работа с контейнерами и гипервизорами.
Подходит для задач:
- Высоконагруженные базы данных и OLTP-системы.
- Платформы виртуализации (VMware, Hyper-V, KVM).
- Приложения, требующие большого объёма памяти (in-memory computing).
При использовании данного модуля в совместимых серверах (например, на базе Intel Xeon или AMD EPYC) достигается стабильная работа даже при пиковых нагрузках. Задержка CL40 при частоте 6400 МГц обеспечивает быстрый отклик системы, а регистровый тип (RDIMM) снижает нагрузку на контроллер памяти.
Технические характеристики
- Производитель: Samsung
- Объём одного модуля: 128 ГБ
- Тип памяти: DDR5
- Форм-фактор: RDIMM (288 контактов)
- Эффективная частота: 6400 МГц
- CAS Latency: CL40
- Напряжение питания: 1,1 В
- Поддержка ECC: Да
- Регистровая (буферизированная): Да
- Низкопрофильная: Нет
- Подсветка: Нет
- Радиатор: Нет
- Гарантия: 12 месяцев
- Артикул: M321RAJA0MB2-CCPKF
Модуль не имеет радиатора и низкопрофильного исполнения, поэтому рассчитан на установку в стандартные серверные корпуса с организованным обдувом. Напряжение 1,1 В – типичное для DDR5, что позволяет сохранять энергоэффективность даже при интенсивной работе.
Преимущества решения
Главное преимущество Samsung M321RAJA0MB2-CCPKF – сочетание большого объёма и высокой пропускной способности. В отличие от модулей DDR4, DDR5 работает на более высокой частоте и имеет улучшенную архитектуру, что особенно заметно при работе с большими массивами данных.
- Поддержка ECC защищает от сбоев и «тихих» ошибок памяти.
- Регистровая буферизация позволяет устанавливать больше модулей в один канал без потери стабильности.
- Samsung – один из крупнейших производителей чипов памяти, что гарантирует качество и долговечность.
При замене старых модулей на этот вариант не потребуется менять платформу, если она поддерживает DDR5 RDIMM. Kстати, прирост производительности по сравнению с DDR4-3200 может достигать 50% в задачах, чувствительных к пропускной способности.
Вопросы и ответы
Подойдёт ли этот модуль в обычный домашний компьютер?
Нет, модуль M321RAJA0MB2-CCPKF предназначен только для серверов. Он имеет регистровую буферизацию (RDIMM) и поддержку ECC, которые не поддерживаются настольными платами. Для обычных ПК нужны модули типа UDIMM без ECC.
Можно ли использовать этот модуль вместе с обычными DDR5 планками?
Смешивать RDIMM и UDIMM нельзя, так как они имеют разную архитектуру и сигнальные протоколы. Также не рекомендуется смешивать модули разного объёма и частоты. Для стабильной работы лучше использовать одинаковые модули из одной партии.
Какая максимальная частота поддерживается процессорами Intel Xeon для DDR5?
Современные процессоры Intel Xeon Scalable (4-го поколения и новее) поддерживают DDR5-4800 и выше. Модуль с частотой 6400 МГц может работать на штатной скорости, если процессор и материнская плата поддерживают данную частоту. В противном случае память автоматически снизит частоту до совместимой.
Что такое CAS Latency (CL40) и влияет ли она на производительность?
CAS Latency – это задержка между запросом процессора и моментом, когда память выдаёт данные. Чем ниже значение, тем быстрее отклик. CL40 для DDR5-6400 является стандартным показателем и не считается высоким. В реальных задачах разница в задержках между CL40 и CL36 малозаметна, особенно для серверных нагрузок.
Контакты
Отдел продаж:
+7 (499) 288-88-37
info@eddp.ru
Характеристики
|
CAS Latency
|
CL40 |
|
Производитель
|
Samsung |
|
Количество контактов модуля памяти
|
288 |
|
Количество модулей памяти в комплекте
|
1 |
|
Объем модуля памяти
|
128 Гб |
|
Низкопрофильная память
|
Нет |
|
Назначение ОЗУ
|
Для серверов |
|
Поддержка памятью ЕСС
|
Да |
|
Напряжение питания ОЗУ
|
1,1 |
|
Подсветка планки
|
Нет |
|
Радиатор на планке
|
Нет |
|
Регистровая (буферизированная)
|
Да |
|
Сайт производителя
|
https://www.samsung.com/semiconductor/ |
|
Суммарный объем модулей
|
128 Гб |
|
Тип ОЗУ
|
DDR5 |
|
Тип:
|
Оперативная память |
|
Форм-фактор оперативной памяти
|
RDIMM |
|
Эффективная частота ОЗУ
|
6400 |
|
Гарантия
|
12 месяцев |
|
Вид поставки
|
Kit |
|
Базовая единица
|
шт |
